Samsung anuncia módulo de memória 4 GB DDR DIMM

A Samsung Electronics, anunciou o novo modulo de memória DDR DIM de 4Gbyte, o primeiro da indústria, que integra 36 componentes de 1Gb DDR synchronous DRAM (SDRAM) alcançando uma densidade de 4GByte.

O novo 4GByte DDR DIMM baseia-se na tecnologia 0.10-micron da Samsung para componentes 1Gb DDR SDRAM, os quais oferecem performances de 266Mbps até 333Mbps, estando disponível nas configurações -x4, -x8, e -x16 bit compatíveis com os pacotes standard 400mil TSOP2. A companhia coreana desenvolveu o primeiro 1Gb DDR SDRAM em Dezembro de 2002 e as amostras foram logo enviadas para os produtores de grandes sistemas, prevendo-se a produção em massa no segundo semestre de 2003. A Samsung lidera o Mercado global de soluções avançadas de memórias, incluindo soluções de alta velocidade DDR333 e DDR400 e densidades 512Mb e 1Gb. Segundo a Gartner Dataquest, o mercado de 1Gb DDR SDRAMs deverá atingir 7.4 mil milhões de dólares em 2006.